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当前位置：首页>>资讯行情>>GaN器件的复合年均增长率达到80%，抢夺GaAs和LDMOS份额
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http://www.dianzinet.com 时间：2008-06-18
    
据Yole Developpement预测，2007年氮化镓(GaN)射频器件市场的规模达到了1700万美元，其中，研发占65%，国防和卫星应用占17%，3G基站以及LTE/WiMax应用分别占16%和2%。

随着GaN在LTE/WiMax应用中的强劲渗透，Yole预测GaN RF晶体管市场在2010年将增长至大约1亿美元。这意味着80%的平均年增长率以及在2008年有大约3000万美元的市场规模。


Yole预测，在2012年GaN市场将显示研发部分的比例将跌落至6%，国防和卫星应用、3G基站以及LTE/WiMax应用的市场占有率分别为27%、31%和31%。广播市场的占有率为4%，但是，Yole未预测2012年这部分市场的规模将如何。


Yole公司负责化合物半导体的项目经理Philippe Roussel在一次发言中表示，“据预测，2008年功率放大器市场规模大约为9亿美元，这些GaN器件正在向着在这一行业占据主宰地位的硅基器件发起挑战。”


回顾2005年可见，基于硅的LDMOS器件占据了2GHz以及更高频率范围的高功率射频放大应用市场的90%；剩余的市场由GaAs pHEMT技术占据。


军事应用首先采用宽带隙器件，特别是采用由美国DARPA以及DoD资助下开发的SiC(碳化硅)MESFET器件。


在2006年，位于日本横滨的Eudyna Devices公司宣布携手日本电信以及电话公司在东京首次部署了针对测试用途的、采用GaN HEMT的3G网络。由Cree RFMD和Nitronex公司提供的商用产品随后跟进，瞄准3G和WiMax基站以及通用应用。与此同时，未来几年有望实现第一款用于空间应用的产品。
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