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http://www.dianzinet.com 时间：2008-05-07
    
Vishay Intertechnology公司近日发布一款新型的20V P沟道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，在业界同类产品中具有最小尺寸和导通电阻。

Vishay Siliconix Si8441DB具有极其紧凑的0.59mm剖面厚度，外观面积仅为1.5×1mm。它也是此类器件中第一款在1.2V电压下具有额定导通电阻的器件。这种新型器件的典型应用包括便携式设备中的负载开关和电池保护，包括手机、PDA、数码相机、MP3播放器和智能电话。


Si8441DB具有极低的导通电阻，范围从1.2V VGS下的0.600欧姆到4.5V VGS下的0.080欧姆，最大栅-源电压为±5V。1.2V电压下极低的额定导通电阻使得用户不再需要配置电平偏移电路，这节省了便携式电子设计所占的空间。


同时发布的还有同样采用MICRO FOOT封装的20V P沟道Si8451DB。在最大8V的额定栅源电压下，Si8451DB的导通电阻范围从1.5V下的0.200Ω到4.5V下的0.080Ω，这是在具有这些额定电压的同类器件中达到的最佳导通电阻。


随着便携式电子产品尺寸变得越来越紧凑，功能越来越强大，电源管理电路可用的板级空间大大缩小。为了满足用户对两次充电之间电子产品工作时间的长度要求，设计人员需要采用低功耗的小尺寸封装MOSFET——这恰恰是Si8441DB和Si8451DB所具备的特性。


用户现在可以订购这些新型MICRO FOOT芯片级功率MOSFET的样品和批量现货了，较大订单的交货时间为10到12周。100,000片美国出货的单价为0.21美元。
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