查看今日求购信息┊创建产品目录┊加入企业库┊发布供应信息┊发布求购信息┊发布企业招聘┊会员帮手┊注册会员┊
 本站搜索：
 
 如何找? 如何贸易?
当前位置：首页>>资讯行情>>安森美扩展低Vce(sat)双极结晶体管产品
　资讯行情类别导航
　按综合类别显示：
　按专题类别显示：
http://www.dianzinet.com 时间：2007-07-11
    
电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其业界领先的低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。


安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1A时，该器件可提供45mV的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低Vce(sat)BJT还提供超过8kV的较高的静电放电(ESD)容差，因此能在突发浪涌情况下自我保护，避免受损。由于实现了出色的电气性能及较低的温度系数，因此这种器件可提高能效，在无需额外ESD保护电路就能实现更好的电池节能。相对于MOSFET而言，这种器件比较适中的开关速度降低了噪声谐波，因此更适于需要控制电磁干扰(EMI)的应用。

安森美半导体的低Vce(sat)BJT系列产品采用多种业界领先的封装，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量单价为0.14～0.27美元。
系列资讯
·安森美扩展低Vce(sat)双极结晶体管产品　[2007-07-11 09:40:03]
·采用0.18微米CMOS工艺技术，太空应用抗辐射SoC控制器原型出炉　[2007-07-09 10:18:28]
·奥地利微电子新推运算放大器AS1710，具备低功耗　[2007-07-09 10:16:59]
·采用0.18微米CMOS工艺技术，太空应用抗辐射SoC控制器原型出炉　[2007-07-09 09:51:12]
·Lattice发表90nm非挥发性FPGA系列LatticeXP2　[2007-07-04 09:01:34]
·Hittite发布具有极低相位噪声的宽波段放大器　[2007-07-04 08:58:59]
·FCI利用MicroTCA电源模块输入连接器扩充产品系列　[2007-07-04 08:57:28]
·Intel透露近期的处理器和芯片组新品　[2007-06-22 11:25:31]
·Holtek新推出八位Dual Slope A/D型微控制器　[2007-06-15 11:10:06]
·飞思卡尔针对移动用户界面推出3轴数字输出加速计　[2007-06-15 11:09:09]
　
中国电子工业网 © 版权所有 2006